热卖商品
新闻详情
JHW12N60C-W mos管、场效应管.pdf
来自 : max.book118.com/html/2017/0705
发布时间:2021-03-24
1、本文档共6页,可阅读全部内容。2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。文档侵权举报电话:19940600175。
2017年7月5日JHW12N60C-W mos管、场效应管 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET JHW12N60 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 12 A ID 600 V VDSS...效应JHW12N60C-W mos管、场效应管.pdf,N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET JHW12N60 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 12 A ID 600 V VDSS 0.65Ω Rdson(@Vgs=10V) 39nC Qg 用途 APPLICATIONS 高频开关电源 High efficiency switch 电子镇流器 mode power supplies UPS 电源 Electronic lamp ballasts based on half bridgeJHW12N60C
2017年7月5日JHW12N60C-W mos管、场效应管 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET JHW12N60 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 12 A ID 600 V VDSS...效应JHW12N60C-W mos管、场效应管.pdf,N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET JHW12N60 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 12 A ID 600 V VDSS 0.65Ω Rdson(@Vgs=10V) 39nC Qg 用途 APPLICATIONS 高频开关电源 High efficiency switch 电子镇流器 mode power supplies UPS 电源 Electronic lamp ballasts based on half bridgeJHW12N60C
本文链接: http://jhw_12.immuno-online.com/view-692111.html
发布于 : 2021-03-24
阅读(0)
最新动态
2021-03-24
2021-03-24
2021-03-24
2021-03-24
2021-03-24
2021-03-24
2021-03-24
2021-03-24

