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JHW12N60C-W mos管、场效应管.pdf
来自 : max.book118.com/html/2017/0705 发布时间:2021-03-24
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2017年7月5日JHW12N60C-W mos管、场效应管 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET JHW12N60 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 12 A ID 600 V VDSS...效应JHW12N60C-W mos管、场效应管.pdf,N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET JHW12N60 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 12 A ID 600 V VDSS 0.65Ω Rdson(@Vgs=10V) 39nC Qg 用途 APPLICATIONS 高频开关电源 High efficiency switch 电子镇流器 mode power supplies UPS 电源 Electronic lamp ballasts based on half bridgeJHW12N60C

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发布于 : 2021-03-24 阅读(0)
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